**30EPH06PBF MOS 场效应管
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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| 品牌/商标 | IR 国际整流半导体 | 型号/规格 | 30EPH06PBF |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | NF/音频(低频) |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | ALGaAS铝镓砷 |
| 开启电压 | 1（V） | 夹断电压 | 1（V） |
| 低频跨导 | 1（μS） | *间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | *大漏*电流 | 1（mA） |
| *大耗散功率 | 1（mW） |
IR 原装正品
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| 产品种类: | 整流器 |
| RoHS: |  详细信息 |
| 产品: | Fast Recovery Rectifier |
| 配置: | Single |
| 反向电压: | 600 V |
| 正向电压下降: | 2.6 V |
| 恢复时间: | 35 ns |
| 正向连续电流: | 30 A |
| *大浪涌电流: | 300 A |
| 反向电流 IR: | 50 uA |
| 安装风格: | Through Hole |
| 封装 / 箱体: | TO-247 |
| 封装: | Tube |
IR 国际整流半导体
30EPH06PBF
