现货*150EBU04系列产品 增强型MOS管N沟道
地区：广东 深圳
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产品属性
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| 品牌/商标 | IR 国际半导体 | 型号/规格 | 150EBU04 |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | NF/音频(低频) |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | SIT静电感应 |
| 开启电压 | 1（V） | 夹断电压 | 1（V） |
| 低频跨导 | 1（μS） | *间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | *大漏*电流 | 1（mA） |
| *大耗散功率 | 1（mW） |
*对原装正品飞捷电子是**的功率器件分销商，致力于*推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌，意法半导体,FUJI，*童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块，整流二*管模块，IGBT单管，SPM模块，场效应管，快恢复二*管，肖特基二*管，智能电源开关管，IC等*无铅产品。
| 品种类: | 整流器 |
| RoHS: |  详细信息 |
| 产品: | Fast Recovery Rectifier |
| 配置: | Single |
| 反向电压: | 400 V |
| 正向电压下降: | 1.3 V |
| 恢复时间: | 60 ns |
| 正向连续电流: | 150 A |
| *大浪涌电流: | 1500 A |
| 反向电流 IR: | 50 uA |
| 安装风格: | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体: | POWER TAB |
| 封装: | Tube |
| *大工作温度: | + 175 C |
| *小工作温度: | - 55 C |
IR 国际半导体
150EBU04
