***童SGL25N120RUFTU

地区:广东 深圳
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品牌/商标 FAIRCHILD/*童 型号/规格 SGL25N120RUFTU
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 MW/微波
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 SIT静电感应
开启电压 1(V) 夹断电压 1(V)
跨导 1(μS) *间电容 1(pF)
低频噪声系数 1(dB) *大漏*电流 1(mA)
*大耗散功率 1(mW)

*童 MOS IGBT 场效应管

Manufacturer:Fairchild Semiconductor 
Product Category:IGBT Transistors 
RoHS:RoHS Compliant Details 
Package / Case:TO-264 
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:1200 V 
Collector-Emitter Breakdown Voltage:1200 V 
Collector-Emitter Saturation Voltage:2.3 V 
Continuous Collector Current Ic Max:40 A 
Gate-Emitter Leakage Current:100 uA 
Power Dissipation:270 W 
Packaging:Tube 
品牌

FAIRCHILD/*童

型号

SGL25N120RUFTU