**IRFS9N60A MOS 场效应管
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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| 品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IRFS9N60A |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | ALGaAS铝镓砷 |
| 开启电压 | 1（V） | 夹断电压 | 1（V） |
| 低频跨导 | 1（μS） | *间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | *大漏*电流 | 1（mA） |
| *大耗散功率 | 1（mW） |
IR MOS 场效应管飞捷电子是**的功率器件分销商，致力于*推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌，意法半导体,FUJI，*童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块，整流二*管模块，IGBT单管，SPM模块，场效应管，快恢复二*管，肖特基二*管，智能电源开关管，IC等*无铅产品。
| 产品种类: | MOSFET 功率 |
| RoHS: |  详细信息 |
| 配置: | Single |
| 晶体管*性: | N-Channel |
| 电阻汲*/源* RDS（导通）: | 0.75 Ohm @ 10 V |
| 汲*/源*击穿电压: | 600 V |
| 闸/源击穿电压: | +/- 30 V |
| 漏*连续电流: | 9.2 A |
| 功率耗散: | 170000 mW |
| *大工作温度: | + 150 C |
| 安装风格: | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体: | D2PAK |
| 封装: | Reel |
| *小工作温度: | - 55 C |
IR
IRFS9N60A
