IRFBF20,IRFBF20S,IR*原装,场效应管
地区:广东 深圳
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IRFBF20S:U=900V,I=1.7A,RDS=8000毫欧,TO-263封装。
品质*:本公司*,所提供的产品均为原装正品,按原厂品质标准执行。
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SMD(SO)/表面封装
IRFBF20STRLPBF
GE-N-FET锗N沟道
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*缘栅(MOSFET)
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