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3DG1B硅NPN型平面中小功率高频三*管

地区：辽宁 朝阳
认证： 无

朝阳远征电子器件厂

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品牌/商标 国产 型号/规格 3DG1B
应用范围 放大 功率特性 *率
频率特性 高频 *性 NPN型
结构 面接触型 材料 硅(Si)
封装形式 直插型 封装材料 金属封装
截止频率fT 150（MHz） 集电**大允许电流ICM 20m（A）
集电**大耗散功率PCM 0,2（W） 营销方式 *
产品性质 *