* 三*管
地区：浙江 杭州
认证：
无
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产品属性
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| 是否提供加工定制：否 | 品牌：国产 | 型号：2SC3153 |
| 应用范围：开关 | 材料：硅(Si) | *性：NPN型 |
| 集电**大允许电流ICM：6（A） | 集电**大耗散功率PCM：100（W） | 结构：平面型 |
| 封装形式：直插型 | 封装材料：塑料封装 |
型号：2SC3320
NPN硅大功率晶体管
封装形式：TO-*N
电特性：
*限值（除非另有规定Tamb= 25℃）
参 数 名 称 | * 号 | 额 定值 | 单 位 |
集电*—发射*电压 | VCE0 | 400 | V |
集电*—基*电压 | VCBO | 500 | V |
发射*—基*电压 | VEBO | 7 | V |
集电*电流 | IC | 15 | A |
基*电流 | IB | 5 | A |
耗散功率 | Pc | 80 | W |
结 温 | Tj | +150 | ℃ |
贮存温度 | Tstg | -55 ~ +150 | ℃ |
电参数（除非另有规定Tamb=25℃）
参数名称 | *号 | 测试条件 | 规范值 | 单位 | ||
*小 | 典型 | *大 | ||||
集电*-基*截止电流 | ICB0 | VCBO=500V | — | — | 1.0 | mA |
发射*-基*截止电流 | IEB0 | VEBO=7V | — | — | 1.0 | mA |
共发射*正向电流的静态值 | hFEa | Vce=5V Ic=6A | 10 | — | — |
|
集电*-发射*饱和电压 | VCEsata | Ic=6A, IB=1.2A | — | — | 1 | V |
基*-发射*饱和电压 | VBE sata | — | — | 1.5 | V | |
特征频率 | fT | Vce=10V，Ic=1A | — | 8 | — | MHz |
开启时间 | Ton | Ic=7.5A, IB=1.5A IB2=-3A, RL=20Ω PW=20us，Duty=2% | — | — | 0.5 | us |
贮存时间 | ts | — | — | 1.5 | us | |
下降时间 | tf | — | — | 0.15 | us | |
a:脉冲测试 | ||||||
