三*管2SA1939

地区:浙江 杭州
认证:

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是否提供加工定制:否品牌:国产型号:2SA1939
应用范围:功率材料:硅(Si)*性:PNP型
结构:平面型封装形式:直插型封装材料:塑料封装

型号:2SA1939

PNP硅大功率晶体管

封装形式:TO-*N

电特性:

*限值(除非另有规定Tamb=25℃

* 

  

集电*—发射*电压

VCE0

-80

V

集电*—基*电压

VCBO

-80

V

发射*—基*电压

VEBO

-5

V

集电*电流

IC

-6

A

基*电流

IB

-0.6

A

耗散功率

Pc

60

W

 

Tj

150

贮存温度

Tstg

-55 ~ 150

 

 

 

 

 

 

 

电参数(除非另有规定Tamb=25℃

*

单位

*小

典型

*大

集电*-基*截止电流

ICB0

VCB= -80V, IE=0

-5.0

uA

发射*-基*截止电流

IEB0

VEB= -5V,IC=0

-5.0

uA

集电*-发射*击穿电压

V(BR)CEO

IC= -50mA, IB=0A

   -80

V

直流电流增益

hFE1

Vce= -5V  Ic= -1A

55

160

 

hFE2

Vce= -5V  Ic= -3A

35

75

集电*-发射*饱和电压

VCE(sat)

IC= -5A, IB= -0.5A

-0.45

-2.0

V

*-发射*饱和电压

VBE

VCE= -5V, IC= -3A

-0.92

-1.5

V

特征频率

fT

Vce= -5VIc= -1A

30

MHz

a:脉冲测试