供应AlGaInP高亮度纯红色发光二*管芯片(图)

特点 ◆纯红色 ◆MOCVD生长技术 ◆高亮度 ◆低功耗 ◆优良的波长和亮度均匀性 ◆长寿命 结构 ◆AlGaInP/GaAs材料体系 ◆具有MQW和DBR结构 ◆电*材料： P面正*：金或铝 N面负*：金合金 ◆外型尺寸如图所示 说明： 1、发光强度是利用华光光电光强测试设备测试结果，测量精度为&plu*n;15%。 2、P面键合层可根据用户需要选定为金或铝。 3、键合时不要*过380℃、5秒钟。 4、有两种包装形式： 蓝膜：P面朝上，适合于自动固晶工艺。 白膜：N面朝上，适合于手动固晶工艺。

联系人：

常先生：

崔先生：

肖：

宋：