TVS二*管1.5SMC18AT3G

地区:上海 上海市
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雪崩电压VBR Min.(V)雪崩电压VBR Nom.(V)雪崩电压VBR Max.(V)IT(mA)峰值反向工作电压VRWM(V)*大反向漏电流IR(μA)*大反向浪涌电流Ipp(A)*大反向电压(钳位电压)VC(V)雪崩电压(VBR)*大温度系数(%/℃)芯片标识(MARK)封装/温度(℃)
17.1001818.900115.300559.50025.2000.08818ASMC/-55~150

 

 

期货交期3WKS左右,欢迎来电咨询。

是否提供加工定制

产品类型

瞬变抑制二*管

是否*

品牌/商标

0N/安森美

型号/规格

1.5SMC18AT3G

材料

硅(Si)

主要参数

封装SMC

备注

库存8000PCS