高频可控硅 KG 平板型
地区：浙江 温州
认证：
无
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产品属性
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| 品牌/商标 | 正力 | 型号/规格 | KG, GTO |
| 控制方式 | GTO(门*关断) | *数 | 多* |
| 封装材料 | 金属封装 | 封装外形 | 平板形 |
| 关断速度 | 普通 | 散热功能 | 不带散热片 |
| 功率特性 | 大功率 | 频率特性 | 变频 |
| 额定正向平均电流 | 100A 200A 500A 800A 1000A 1200A 1500A 2000A（A） | 控制*触发电压 | 400V~2600V（V） |
| 控制*触发电流 | 100（mA） | 正向重复峰值电压 | 2600（V） |
| 反向阻断峰值电压 | 2600（V） |
出口型（IR型）.（SEMIKRON型）（SANREX型）（FUJI型）外型。
100A 200A 500A 800A 1000A 1200A 1500A 2000A
400V~2600V
焊接式， 压接式 结构
优良的温度特性和功率循环能里
承受高浪涌电流，低压降
International Rectifier,Semikron t*e,capsule version fast thyristor 200A~3000A,600V~2500V.
Features
all diffuse techinics
ceramic disc t*e seal
middle trigger
bifacial cooled
big current
T*ical Applications
big power transformer
AC & DC motor control
AC & DC switch
phase control rectification
inverter
FAST THYRISTOR (Capsule version)
T*e VDRM/VRRM IT(*) TQ dv/dt di/dt IDRM/IRRM IGT VGT
THS55'C 100'C 25'C
V A uS V/us A/us mA mA V
KG200C 600-2000 200 10-16 200 200 30 35-250 0.8-3.0
KG300C 600-2000 300 10-16 200 200 30 35-250 0.8-3.0
KG400C 600-2000 400 10-16 200 200 30 35-250 0.8-3.0
KG500C 600-2000 500 10-16 200 200 30 35-250 0.8-3.0
KG600C 600-2000 600 10-16 200 200 30 35-250 0.8-3.0
KG800C 600-2000 800 10-16 200 200 30 35-250 0.8-3.0
KG1000C 600-2000 1000 10-16 200 200 30 35-250 0.8-3.0
KG1200C 600-2000 1200 10-16 200 200 30 35-250 0.8-3.0
t*e IH VTM/ITM RTH(j-hs) Tjm Install power Outline
m/A V/A 'C/W 'C KN
KG200C 20-400 3.2/600 0.065 125 5.3-10 E1/E2
KG300C 20-400 3.2/900 0.055 125 5.3-10 E1/E2
KG400C 20-400 3.2/1200 0.040 125 10-20 E2/E5
KG500C 20-400 3.2/1500 0.035 125 15-20 E2/E3/E5
KG600C 20-400 3.2/2400 0.032 125 15-20 E3/E5/E6
KG800C 20-500 3.2/3000 0.030 125 18-25 E5/E6/E8
KG1000C 20-500 3.15/3000 0.028 125 18-25 E6/E8
KG1200C 20-500 3.15/3000 0.024 125 21-30 E8
