GD25Q40存储器GD25Q40BT GD25Q40BTIG

1。特征

◆4m／2M比特串行闪存的编程/擦除速度◆

512 / 256K字节的页编程时间：0.7ms典型

-每256个字节可编程页扇区擦除时间100ms的典型

块擦除时间：0.3/0.5s典型

◆标准，双，四SPI芯片擦除时间：3 / 2典型

标准的SPI：SCLK，CS #，Si，所以，可湿性粉剂#，持有#

双SPI：SCLK，CS #，IO0，iol，WP #，持有#◆灵活的体系结构

四SPI：SCLK，CS #，IO0，iol，2，3- 4K字节扇区

- 32 / 64K字节块

◆*时钟频率

为快速阅读30pF的负载◆低功耗120MHz

双I / O数*送到240mbits／s～20mA的*大有功电流

四I/O数*输到480mbits / s的*大功率下电流5uA

◆软件/硬件写保护◆单电源电压

写保护*/内存部分通过软件全电压范围：2.7 ~ 3.6V

启用/禁用保护#引脚可湿性粉剂

-顶部或底部，部门或块选择◆包信息

- SOP8（150MIL）