DRT801/311BIGBT驱动变压器

【详细说明】

“动力星”DRT801/311B

IGBT驱动变压器

DRT系列IGBT驱动变压器系我公司为驱动IGBT和MOSFET而专门研制的*新产品，以非晶合金和纳米晶合金作为磁芯，可满足多项应用要求。

一．产品特点：

①耦合电容低，使之具有很高的*干扰能力；

②漏感小，*了更好的输出脉冲波形；

③无开关*、瞬时传输功率高；

④*电强度高，**；

⑤全封闭，机械和耐环境性能好；

⑥体积小巧，结构紧凑，外形美观，针脚穿孔式安装，使用方便。

二．使用条件：

①环境温度：-40℃~+85℃

②相对湿度：温度为40℃时不大于90%

③大气压力：860~1060mbar（约为650~800mmHg）

三．*缘耐热等级：F级（155℃）

四．*特性：

①*缘电阻：常态时大于1000MΩ

②阻燃性：*合UL94-V₀级

五．各参数意义及外形图、安装尺寸、线圈图和主要技术参数（典型值）

① 各参数的意义：

u—变比=Ⅰ:Ⅱ:Ⅲ。

V_P—各绕组之间施加的*电强度试验电压之*值，持续时间60s。

∫udt—额定伏微秒积≈V₁·t_n（在*频率范围内其值基本不变）。

V₁—输入脉冲幅度（初级脉冲电压）。

t_n—在相应的V₁和F_P下驱动变压器的额定传输脉宽。

V₂—输出脉冲幅度（次级脉冲幅度）。

R_L—IGBT模块或MOSFET控制级等效电阻。

L_P—线圈初级电感量 f=1000Hz V=0.3V

L_S—漏感（将次级绕组短路后测量）f=1000Hz V=1V

C_K—分布电容 f=1000Hz V=1V

② 外形图、安装尺寸、线圈图及主要技术参数

u	Vp （kV）	初级电感 L_P	漏感 L_S	分布电容 C_K	∫udt （μV S）	V₁ （V）	t_n （μS）	V₂ （V）	R_L （Ω）	使用频率范围
3:1:1	3.1	8mH	14μH	18pF	≥280	30	10	9	100	100Hz~50 kHz

型号/规格

DRT801/311B

品牌/商标

兵字/bingzi(中英文)

包装方式

多件包装

主要用途

适用电源类别

铁芯类型

频率特征

导线类型

*类型

供应DRT801/311BIGBT驱动变压器