单晶硅太阳能充电器

品牌	JHL	型号	5008
输入参数	5（V）	输出参数	5.5（V）
类型	太阳能	电池类型	锂电池
指示功能	有指示功能	接口	普通接口

技术参数:

太阳能功率: 0.7W(单晶硅)
市电输入: AC100V--240V
输出电压:DC5.5V
输出电流: DC300-500mA
内置锂电池:2600mAH
产品重量:110克
产品尺寸:120X73X10mm
产品颜色:4色可选

使用说明

为内置锂电充电:采用市电(交流100V--240V)给内置锂电池充电时,避光情况下指示灯显示为红色,约6-7个小时左右可以充满,指示灯熄灭表示电池已充满.

将太阳能充电器放置于阳光下就可以给内部自带的电池充电了.红灯亮表示正在充电,在阳光下约几小时乃至几十个小时可以充满.因阳光强弱而异.

为产品充电的使用方法:内置锂电池充满后,就可以给手机,数码相机,MP3,MP4等数码产品充电了. 用充电连线将太阳能充电器与手机或数码相机MP3,MP4等数码产品连接好就可以充电了.充电时,指示灯显示绿色,表明充电正常.

产品包装及附件.
中性彩盒包装,电源适配器1条,充电输出线1条,转换头5个(摩托罗拉,三星,诺基亚,索爱).

注意事项:
内部设有保护电路,当出现过载,短路时保护电路动作,输出就没有电压了,解除保护的方法有二: 1,用市电AC100-240V充电数秒;2 在阳光下晒一下.这样就可以恢复输出了.

产品特点：(补充说明)

1.*适用于应急场合

当您在野外作业或旅游,或者遇到停电时,太阳能充电器将会帮您的大忙,使您的手机*随地保持工作状态,让您不间断的与您的朋友和家人保持联系.

2.使用方便

无论何时何地,您都可以*为方便的给您的手机或其它数码产品充电

3.*率充电

给您的手机充电60分钟,可以获得100-150分钟通话时间

4.*,节约资源

使用绿色能源太阳能,可为*作出您的贡献.

5.外形时尚,携带方便

造型简洁华贵,*不锈钢外壳设计,小巧玲珑,携带方便

6.使用*

带有充电过充保护,*您的手机电池的使用寿命,使用*

7.注意事项:*次用市电充的时候可能要充久电,因为电池要个激过过程,可能要用上10多个小时,绿灯才会灭.要充上几次过后,充电时间才可以慢慢缩短.买家们要注意了

太阳能电池板小知识：

1、太阳能电池发电原理：

太阳电池是一对光有响应并能将光能转换成电力的器件。能产生光伏效应的材料有许多种，如：单晶硅，多晶硅，非晶硅，砷化镓，硒铟铜等。它们的发电原理基本相同，现以晶体为例描述光发电过程。P型晶体硅经过掺杂磷可得N型硅，形成P－N结。

当光线照射太阳电池表面时，一部分光子被硅材料吸收；光子的能量传递给了硅原子，使电子发生了越迁，成为自由电子在P-N结两侧集聚形成了电位差，当外部接通电路时，在该电压的作用下，将会有电流流过外部电路产生*的输出功率。这个过程的的实质是：光子能量转换成电能的过程。

2、晶体硅太阳电池的制作过程：

“硅”是我们这个星球上储藏*丰量的材料之一。自从19世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后，它几乎改变了*，甚至*的思维，20世纪末．我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用，晶体硅太阳电池是近15年来形成产业化*快。生产过程大致可分为五个步骤：a、提纯过程 b、拉棒过程 c、切片过程 d、制电池过程 e、封装过程。

3、太阳电池的应用：

上世纪60年代，科学家们就己经将太阳电池应用于空间技术——通信卫星供电，上世纪末，在*不断自我反省的过程中，对于光伏发电这种如此清洁和直接的能源形式已愈加亲切，不*在空间应用，在众多领域中也大显身手。如：太阳能庭院灯、太阳能发电户用系统、村寨供电的*系统、光伏水泵（饮水或灌溉）、通信电源、石油输*道阴*保护、光缆通信泵站电源、海水淡化系统、城镇中路标、*公路路标等。在世纪之交前后期间，欧美等**光伏发电并入城市用电系统及边远地区自然界村落供电系统纳入发展方向。太阳电池与建筑系统的结合已经形成产业化趋势。

4、太阳电池基本性质：

a 、光电转换效率 η% 评估太阳电池好坏的重要因素。

目前：实验室 η ≈ 24%，产业化：η ≈ 15%。

b、单体电池电压 V：0.4V——0.6V由材料物理特性决定。

c、填充因子FF%：评估太阳电池负载能力的重要因素。 FF=(Im×Vm)/(Isc×Voc)

其中：Isc—短路电流，Voc—开路电压，Im—*佳工作电流，Vm—*佳工作电压；

d、标准光强与环境温度地面：AM1.5光强，1000W/m2 ，t = 25℃；

e、温度对电池性质的影响，例如：在标准状况下,AM1.5光强，t=25℃某电池板输出功率测得为100Wp,如果电池温度升高至45℃时，则电池板输出功率就不到100Wp

单晶硅、非晶硅、多晶硅太阳能电池的区别

一、晶体硅光电池
晶体硅光电池有单晶硅与多晶硅两大类，用P型（或n型）硅衬底，通过磷（或硼）扩散形成Pn结成制作，生产技术成熟，是光伏市场上的主导产品。采用埋层电*、表面钝化、强化陷光、密栅工艺、优化背电*及接触电*等技术，*材料中的载流子收集效率，优化*反肘膜、凹凸表面、高反射背电*等方式，光电转换效率有较大*。单晶硅光电池面积有限，目前比较大的为 ∮10至 20cm的圆片，年产能力46MW/a。目前主要课题是继续扩大产业规模，开发*硅光电池技术，*材料利用率。国际***率在AM1.5条件下为24％，空间用高质量的效率在AMO条件约为13.5—18％地面用大量生产的在AM1条件下多在11—18％之间。以定向凝固法生长的铸造多晶硅锭代替＃晶硅，可降*，但效率较低。优化正背电*的银浆和铝浆丝网印刷，磨图抛工艺，千方百计进一步降成本，*效率，大晶粒多晶硅光电池的转换效率**18.6%。

二、非晶硅光电池
a－Si（非晶硅）光电池一般采用高频辉光放电方法使硅烷气体分解沉积而成。由于外解沉积温度低，可在玻璃、不锈钢板、陶瓷板、柔性塑料片上沉积约1μm厚的薄膜，易于大面积化（05rn×l.0m），成本较低，多采用p in结构。为*效率和*稳定性，有时还制成三层P in等多层叠层式结构，或是*一些过渡层。其商品化产量连续*，年产能力45MW／a，10MW生产线已投入生产，*市场用量每月在1*片左右，居薄膜电池*位。发展集成型a－Si光电池组件，激光切割的使用*面积达90％以上，小面积转换效率*到 14.6％，大面积大量生产的为8－10％，叠层结构的**率为21％。研发动向是*薄膜特性，*设计光电池结构和控制各层厚度，*各层之间界面状态，以求得*率和高稳定性。
三、多晶硅光电池
P－Si（多晶硅，包括微品）光电池没有光致衰退效应，材料质量有所下降时也不会导致光电池受影响，是国际上正掀起的前沿性研究热点。在单晶硅衬底上用液相外延制备的p－Si光电池转换效率为15.3％，经减薄衬底，加强陷光等*，可*到23.7%，用CVD法制备的转换效率约为12.6—l7.3%。采用廉价衬底的p—si薄膜生长方法有PECVD和热丝法，或对a—si：H材料膜进行后退火，*低温固相晶化，可分别制出效率9.8%和9.2%的无退化电池。微晶硅薄膜生长与a—si工艺相容，光电性能和稳定性很高，研究受到很大重视，但效率*为7.7％大面积低温p—si膜与—si组成叠层电池结构，是*比a—S光电池稳定性和转换效率的重要途径，可更充分利用太阳光谱，理论计算表明其效率可在28％以上，将使硅基薄膜光电池性能产生*性进展。铜烟硒光电池 CIS（铜锁硒）薄膜光电池己成为国际先伏界研究开发的热门课题，它具有转换效率高（已*17.7％），性能稳定，制造成本低的特点。CIS光电池一般是在玻璃或其它廉价衬底上分别沉积多层膜而构成的，厚度可做到2－3μrn，吸收层CIS膜对电池性能起着决定性作用。现已开发出反应共蒸法和硒化法（溅射、蒸发、电沉积等）两大类多种制备方法，其它外层通常采用真空蒸发或溅射成膜。阻碍其发展的原风是工艺重复性差，*电池成品率低，材料组分较复杂，缺乏控制薄膜生长的分析仪器。CIS光电池正受到产业界重视，一些知名公司意识到它在未来能源市场中的前景和所处*，积*扩人开发规模，着手组建中试线及制造厂。

型号/规格

u-5008

品牌/商标

JHL

供应单晶硅太阳能充电器