德国英飞凌模块

品牌:英飞凌 型号:BSM10GP120 应用范围:普通工业 整流元件:*缘栅双*型晶体管 功率特性:大功率 频率特性:高频 交流输入电压:1200（V） 直流输出电流:10（A） 工作结温:100（℃） 效率:98（%）

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，*缘栅双*型晶体管，是由BJT(双*型三*管)和MOS(*缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有功率场效应晶体管MOSFET的高输入阻*和双*功率晶体管GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。*适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等。

简单的说，IGBT是一种大功率的开/关可控型得电子电力器件，他就是一个开关，非通即断，如何控制他的通还是断，就是靠的是栅源*的电压，当栅源*加+12V（大于6V，一般取12V到15V）时IGBT导通，栅源*不加电压或者是加负压时，IGBT关断，加负压就是为了*关断。他没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。

IGBT有三个端子，分别是G，D，S，在G和S两端加上电压后，内部的电子发生转移（半导体材料的特点，这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因），本来是正离子和负离子一一对应，半导体材料呈中性，但是加上电压后，电子在电压的作用下，累积到一边，形成了一层导电沟道，因为电子是可以导电的，变成了导体。如果撤掉加在GS两端的电压，这层导电的沟道就消失了，就不可以导电了，变成了*缘体。

IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造*MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect transistor,金属半场效晶体管),具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然*新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双*器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。