氮化铝陶瓷*缘片

特性:高热导高散热功能:高散热片微观结构:多晶规格尺寸:根据客户需求（mm）

氮化铝陶瓷基片具有*170W/m·k的高热导率（为氧化铝的7倍）、较低的介电常数和介质损耗、*的*缘性能，优良的力学性能，*，*，耐化学腐蚀。产品经过清华大学新型陶瓷与精细工艺*重点实验室检测机构检验，其性能*国内同类产品，与日本、欧美等国产品水平相当。作为理想的*缘散热基板和封装材料，广泛应用于大规模集成电路、半导体模块电路及大功率器件等高技术领域。如：高功率微波射频器件、高亮度LED、影像传感器、电力电子器件等等。

AlN陶瓷基片主要性能指标
性能内容	性能指标
热导率(W/m·k）	≥170
体积电阻率（Ω·cm）	＞10¹³
介电常数[1MHz,25℃]	9
介电损耗[1MHz,25℃]	3.8х10^-4
*电强度(KV/mm)	17
体积密度（g/cm³）	≥3.30
表面粗糙度Ra(µm)	0.3~0.5
热膨胀系数[20℃ to 300℃](10^-6/℃)	4.6
*弯强度(MPa)	320~330
弹性模量(GPa)	310~320
莫氏硬度	8
吸水率(%)	0
翘曲度(~/25(长度))	0.03~0.05
熔点	2500
外观/颜色	灰白色

注：1.表面光洁度经抛光处理后，Ra≤0.1µm；

2.产品各向尺寸精度通过激光划线*，*小值&plu*n;0.10mm；

3.*规格产品可按客户要求定制生产。