供应高散热氮化铝陶瓷基板

地区:福建 泉州
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特性:高散热*缘陶瓷 功能:高散热片 微观结构:多晶 规格尺寸:根据客户需求(mm)

氮化铝陶瓷基片具有*170W/m·k的高热导率(为氧化铝的7倍)、较低的介电常数和介质损耗、*的*缘性能,优良的力学性能,*,*,耐化学腐蚀。产品经过清华大学新型陶瓷与精细工艺*重点实验室检测机构检验,其性能*国内同类产品,与日本、欧美等国产品水平相当。作为理想的*缘散热基板和封装材料,广泛应用于大规模集成电路、半导体模块电路及大功率器件等高技术领域。如:高功率微波射频器件、高亮度LED、影像传感器、电力电子器件等等。

AlN陶瓷基片主要性能指标

性能内容

性能指标

热导率(W/m·k

170

体积电阻率(Ω·cm

1013

介电常数[1MHz,25]

9

介电损耗[1MHz,25]

3.8х10-4

*电强度(KV/mm)

17

体积密度(g/cm3

3.30

表面粗糙度Ra(µm)

0.3~0.5

热膨胀系数[20 to 300](10-6/)

4.6

*弯强度(MPa)

320~330

弹性模量(GPa)

310~320

莫氏硬度

8

吸水率(%)

0

翘曲度(~/25(长度))

0.03~0.05

熔点

2500

外观/颜色

灰白色

注:1.表面光洁度经抛光处理后,Ra0.1µm;

2.产品各向尺寸精度通过激光划线*,*小值&plu*n;0.10mm;

3.*规格产品可按客户要求定制生产。