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GT2301 SOTPCS/盘
20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V P 沟道增强型 MOS 管
VDS= -20V
RDS(ON),,= 85mΩ
RDS(ON),,= 110mΩ
Features 特性
Advanced trench process technology 高级的加工技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance *低的导通电阻高密度的单元设计
