原厂供应高压IGBT单管NCE25G120T 1200V/25A

地区:江苏 无锡
认证:

无锡新洁能功率半导体有限公司

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  产品特征:Trench NPT(非穿通)技术

  低Vcesat,低导通损耗

  拖尾电流小,更小的开关损耗和更快的开关速度

  短路电流能力强,Tsc>10us,可提供给控制电路充足的时间及时关断器件

  高Eas能力

  更强的*闩锁能力

  *强的*冲击能力

  易并联使用

  产品应用:感应加热,微波炉,电磁炉,逆变器,UPS,变频器等

  软开关应用

  Vds=1200VId=25A 

  封装:TO-247



























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品牌/商标

NCE

型号/规格

NCE25G120T

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-HBM/半桥组件

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

IGBT*缘栅比*

开启电压

4-7(V)

夹断电压

1200(V)