高质量C945,TO-92封装三*管

地区:广东 深圳
认证:

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ELE*RICAL CHARA*ERISTICS(Tamb=25unless otherwise specified) 

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

V(BR)CBO

lc=1mA, lE=0

50

 

 

V

Collector-emitter breakdown voltage

V(BR)CEO

lc=100uA, lB=0

45

 

 

V

Emitter-base breakdown voltage

V(BR)EBO

lE=100mA,lc=0

5

 

 

V

Collector cut-off current

lCBO

VCB=50V, lB=0

 

 

0.1

μA

Collector cut-off current

lCEO

VCE=45V

 

 

1

μA

Emitter cut-off current

lEBO

VEB=5V,  lc=0

 

 

0.1

μA

DC current gain

hFE

VCE=5V,lc=1mA

70

 

700

 

Collector-emitter saturation voltage

VCE(sat)

lc=100mA,lB=5mA

 

 

0.3

V

Base-emitter saturation voltage

VBE(sat)

lc=100mA,lB=5mA

 

 

1

V

Transition frequency

fr

VCE=5V,lc=10mA,f=30MHZ

150

280

 

MHz

CLASSIFICATION OF hFE(1)

Rank

O

Y

GR

BL

Range

70-140

120-240

200-400

350-700

 

 

品牌/商标

国产

型号/规格

三*管C945

应用范围

开关

功率特性

*率

频率特性

中频

*性

NPN型

结构

肖特基

材料

硅(Si)

封装形式

直插型

封装材料

塑料封装

截止频率fT

200-400(MHz)

集电*允许电流ICM

0.05-0.1(A)

营销方式

*

产品性质

*