三*管S8550,TO-92

地区:广东 深圳
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ELE*RICAL CHARA*ERISTICS(Tamb=25unless otherwise specified)
 

 

          Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

V(BR)CBO

lc=-100μA, lE=0

-40

 

 

V

Collector-emitter breakdown voltage

V(BR)CEO

lc=-1mA, lB=0

-25

 

 

V

Emitter-base breakdown voltage

V(BR)EBO

lE=-100μA,lc=0

-5

 

 

V

Collector cut-off current

lCBO

VCB=-40V, lE=0

 

 

-0.1

μA

Collector cut-off current

lCEO

VCE=-20V, lB=0

 

 

-1

μA

Emitter cut-off current

lEBO

VEB=-5V,  lc=0

 

 

-0.1

μA

DC current gain

hFE

VCE=-1V,lc=-50mA

85

 

400

 

Collector-emitter saturation voltage

VCE(sat)

lc=-500mA,lB=-50mA

 

 

-0.6

V

Base-emitter saturation voltage

VBE(sat)

lc=-500mA,lB=-50mA

 

 

-1.2

V

Transition frequency

fT

VCE=-6V,lc=-20mA

f=30MHZ

150

180

 

MHZ

CLASSIFICATION OF hFE(1)

Rank

B

C

D

D3

Range

85-160

120-200

160-300

300-400

 

 

品牌/商标

国产

型号/规格

S8550

应用范围

放大

功率特性

小功率

频率特性

中频

*性

PNP型

结构

点接触型

材料

硅(Si)

封装形式

直插型

封装材料

塑料封装

营销方式

*

产品性质

*