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特性:1、低导通电阻常闭型:内装有采用本公司独自开发的二重扩散选择掺杂质法(DSD)制作的MOSTET.2、小模拟信号控制:PhotoMos继电器具有很低的闭路偏置电压,要用于微小模拟信号控制而无失真。3、高灵敏度,低导通电阻:5mA的输入电流能控制*大0.12A的负载电流。50欧(AQV414E)的低导通电阻,同于无金属触头所以能*地动作。4、低无路漏电电流:SSR有几个uA的开路漏电电流,而PhotoMos继电器即便在额定400V(AQV414E)的负载电压时也*有100pA的漏电电流。5、提供耐高*缘电压5000V型:内部的输入,输出端间*缘距离大于0.4mm,*合IEC950(高*缘型)标准。用途:电话设备(拨号,揿按)和测量仪器。AQV414,AQV414A,AQV414AX,AQV414AZ,AQV414E,AQV414EA,AQV414EAX,AQV414EAZ,AQV414EH,AQV414EHA,AQV414EHAX,AQV414EHAZ
AQV414EHAX,AQV414EHAZ
松下
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