现货供应英飞凌infineon,IHW20N120R3 H20R1203
地区:广东 广州
认证:
无
图文详情
产品属性
相关推荐
品牌/商标 | 英飞凌 | 型号/规格 | IHW20N120R3 |
种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
开启电压 | 1200(V) | 夹断电压 | 1200(V) |
跨导 | 0.1(μS) | *间电容 | 0.1(pF) |
低频噪声系数 | 0.1(dB) | *大漏*电流 | 20(mA) |
*大耗散功率 | 0.1(mW) |
英飞凌
IHW20N120R3
供应ULN2003ADR SOIC-16 TI 达林顿晶体管阵列
YFW5N70AD TO-252场效应管 YFW佑风微
YFW8P01NF PDFN5*6-8L场效应管 YFW佑风微
YFWG160N10AS-R TO-263场效应管 YFW佑风微
原装,FGL60N100 G60N100BNTD FGL60N100BNTD IGBT管
场效应管 2SK3568 K3568 内阻0.4欧 12A 500V
*童IGBT管 FGH20N60SFD 20A/600V 20N60SFD
IGBT单管 FGH40N60UFD 40N60UFD FGH40N60UFDTU 40A 6
供应ST原装IGBT STGW30N120KD GW30N120KD 30A/1200V
*童Fairchild原装 FGL60N100BNTD FGL60N100BNTDTU G60N10