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11+ HGTG11N120CND 11N120CND HGTG11N120 场效应管/IGBT管

地区：广东 广州
认证： 无

王欢

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品牌/商标 FAIRCHILD/*童 型号/规格 hgtg11n120cnd
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 D/变频换流
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道
开启电压 800（V） 夹断电压 1200（V）
跨导 0.1（μS） *间电容 0.1（pF）
低频噪声系数 0.1（dB） *大漏*电流 43A（mA）
*大耗散功率 原厂标准（mW）

品牌

FAIRCHILD/*童

型号

hgtg11n120cnd