晶体管*性:N沟道
漏*电流, Id *大值:280mA
电压, Vds *大:60V
开态电阻, Rds(on):5ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs *高:2.1V
功耗:0.2W
工作温度范围:-55to 150
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SVHC(温度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SMD标号:702
功率, Pd:0.2W
外宽:3.05mm
外部深度:2.5mm
外*度/高度:1.12mm
封装类型:SOT-23
带子宽度:8mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:0.115A
电流, Idm 脉冲:0.8A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:5ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:5.3ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:2.1V
阈值电压, Vgs th *高:2.5V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
英文描述：200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封装：SOT-23, 3 PIN
