供应*模块FS75R12KT3

制造商：Infineon
产品：IGBT Silicon Modules
配置：Single
集电*—发射**大电压 VCEO：1200 V
集电*—射*饱和电压：3.2 V
在25 C的连续集电*电流：500 A
栅*—射*漏泄电流：400 nA
功率耗散：2900 W
*大工作温度：+ 125 C

*模块FS75R12KT3

——IGBT栅*与发射*之间的电压;
——IGBT集电*与发射*之间的电压;
——流过IGBT集电*-发射*的电流;
——IGBT的结温.
如果IGBT栅*与发射*之间的电压,即驱动电压过低,则IGBT不能稳定正常地工作,如果过高*过栅*-发射*之间的耐压则IGBT可能永久性损坏;同样,如果加在IGBT集电*与发射*允许的电压*过集电*-发射*之间的耐压,流过IGBT集电*-发射*的电流*过集电*-发射*允许的*大电流,IGBT的结温*过其结温的允许值,IGBT都可能会永久性损坏.
FS75R12KT3G

深圳市嘉林电子有限公司*产品。