512K位的非易失性随机存储*5L512-DG

品牌/商标	铁电	型号/规格	*5L512-DG
批号	08+	封装	TDFN
类型	存储器

*5L512Kb FRAM Serial Memory

512K位的非易失性铁电随机存储器
结构容量为65,536 x 8位
无限次的读写次数
掉电数据保持45年
写数据无*
*的高*性铁电制造工艺

快速SPI串行协议
*大*20M的总线速度
硬件上直接替代EEPROM
支持SPI的模式0 &3(CPOL, CPHA=0,0&1,1)

完善的写保护
硬件写保护
软件写保护

低功耗操作
工作电压:3.0V – 3.6V
静态工作电流：20uA

工业标准
工业温度-40℃to +85℃
8PIN“Green”/RoHS TDFN Package

512 Kb的3V非易失性 FRAM器件*5L512带有*串行外设接口（SPI）。该款器件采用8引脚微型封装，能够*数据采集和存储能力，并且削减应用成本和PCB空间，应用领域从多功能打印机到工业用电机控制器等。

*5L512是带有工业兼容SPI接口的512Kb非易失性FRAM，充分发挥了FRAM技术的*写入能力。该硬件上可以直接替代相应的EEPROM，而且性能更佳，并能以*20MHz的总线速度执行无*的读写操作，同时提供10年的数据保存能力，以及几乎无限的读写次数和*低的工作电流。*5L512 器件的工作电压为3.0～3.6V，可在 -40～ +85℃的工业温度范围内操作。

对于那些需要频繁且快速写入操作及/或低功耗工作的应用而言，*5L512的性能*同类的非易失性存储器解决方案。这些应用包括从*的数据采集（该应用中读写寿命*重要）到要求严苛的工业控制（该应用中较长得写入等待时间和较短得读写寿命会导致数据丢失）等各种应用。与串行EEPROM 不同，*5L512能以总线速度执行无等待写入操作，而且功耗更低。

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