供应开关二*管芯片、晶圆、裸片 B*199

地区:广东 深圳
认证:

深圳市斯达特来电子科技有限公司业务部

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用途

*用於高壓、*開關應用   

■特征:

*低正向壓降                                   

*較小的總電容                                 *用於片式封裝        

*較短的反向恢複時間                           **圖形數 90000 只左右

芯片尺寸:280μm×280μm      壓焊區尺寸:φ120μm    

芯片厚度:180&plu*n;10μm  

 锯片槽宽度:40μm      金屬層:正面:Al  2.3&plu*n;10μm,背面:Au  1.4&plu*n;10μm

 

電特性(Ta=25℃)

參 數 名 稱

* 號

測 試 條 件

* 小

* 大

典型值

單位

反向電壓

VR

IR=0.1mA

80

 

130

V

正向壓降

VF(1)

IF=10mA

 

1.0

0.67

V

VF(2)

IF=100mA

 

1.2

0.92

V

反向漏電流

IR(1)

VR=20V

 

25

 

nA

IR(2)

VR=75V

 

1

 

μA

總電容

CT

VR=0, f=1MHZ

 

3.0

2.0

PF

反向恢複時間

trr

IF=IR=10mA  Irr=0.1×IR

 

4.0

 

ns

工作温度范围

--(℃)

功耗

--

型号/规格

B*199

批号

TL12

材料

硅(Si)

品牌/商标

*

产品类型

开关管

是否*

封装

裸片(晶圆)