场效应管HX16N50C TO-247/*
地区:广东 深圳
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HX16N50C TO-220F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。*的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、*的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。
∗ 16A,500V,RDS(on)=0.32Ω@VGS=10V
∗ 低栅*电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ *了dv/dt 能力
其它规格:1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60 830 840 730 740 640 630
HX(环鑫)
HX16N50C
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
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