场效应管HX634(TO-251,TO-252)
地区:广东 深圳
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产品属性
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品牌/商标 | HX(环鑫) | 型号/规格 | HX634(TO-251,TO-252) |
种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-ARR/陈列组件 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 250(V) | 夹断电压 | 1.5(V) |
低频跨导 | 0.1(μS) | *间电容 | 0.1(pF) |
低频噪声系数 | 0.1(dB) | *大漏*电流 | 8.8(mA) |
*大耗散功率 | 0.1(mW) |
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HX634 TO-251/TO-252 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。*的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、*的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。
∗ 8.8A,250V,RDS(on)=0.43Ω@VGS=10V
∗ 低栅*电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ *了dv/dt 能力
其它规格:1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60 830 840 730 740 640 630
HX(环鑫)
HX634(TO-251,TO-252)