*P沟道功率MOS管

地区:福建 福州
认证:

博嘉圣(福州)微电子科技有限公司

普通会员

全部产品 进入商铺
品牌:BGS型号:P沟道功率MOS管种类:*缘栅(MOSFET)
沟道类型:P沟道导电方式:增强型用途:V-FET/V型槽MOS
封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:P-FET硅P沟道开启电压:2- -4(V)
夹断电压:20- -40(V) 跨导:1(μS) *间电容:1(pF)
低频噪声系数:1(dB) *大漏*电流:1- -12(mA) *大耗散功率:1-5w(mW)

公司供应型号:
N-650V系列:1N65,2N65,4N65,5N65,7N65,8N65,10N65,12N65;

N-600V系列:1N60,2N60,4N60,5N60, 7N60,8N60,10N60,12N60;

N-500V系列:BF830,BF840;

N-400V系列:BF730,BF740;

N-200V系列:BF630,BF640;

N-100V系列:BF540,BF3710,BF3410;

N-75V系列:75NF75;

N-60V系列:50N06;

N-55V系列:BF3205;

N-30V系列:2304,3010S,3050K,3080K,30H10,30H21;

P-30V系列:3401,3407,9435,4953,4403,4435,3013S;

N-20V系列:2302,8201;

P-20V系列:2301;

P-8V系列:2305