供应大功率三*管 C3998 *

地区:浙江 杭州
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杭州富阳奥星电子有限公司

Hangzhou Fuyang Dcean Electronic Co.,Ltd.

 

型号:C3998                          

NPN硅大功率三*管

封装形式:TO-*L                              

 

电特性:

*限值(除非另有规定 Tamb= 25

* 

  

集电*—发射*电压

VCE0

800

V

集电*—基*电压

VCBO

1500

V

发射*—基*电压

VEBO

6

V

集电*电流

IC

25

A

耗散功率

Pc

250

W

 

Tj

150

贮存温度

Tstg

-55 ~ +150

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

电参数(除非另有规定Tamb=25

*

单位

*小

典型

*大

集电*-基*截止电流

ICB0

VCB=800V,IE=0

1.0

uA

发射*-基*截止电流

IEB0

VEB=4V,IC=0

1.0

uA

集电*-发射*击穿电压

V(BR)CEO

IC=100mA, IB=0A

800

V

直流电流增益

hFE1

Vce=5V  Ic=1A

8

25

 

hFE2

Vce=5V  Ic=20A

4

8

集电*-发射*饱和电压

VCE(sat)

IC=20A, IB=5A

5.0

V

*-发射*饱和电压

VBEsat

VCE=20V, IC=5A

1.5

V

a: 脉冲测试

 

 

 

 

 

 

 

型号/规格

2SC3998

品牌/商标

OC

封装形式

TO-*L

*类别

无铅*型

安装方式

直插式

包装方式

盒装

功率特性

大功率

频率特性

高频

*性

NPN型