供应 SRAM低功率 存储器LY62L256

地区:广东 深圳
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该LY62L256是262,144位低功耗CMOS静态随机存取记忆体为32,768字组成的8位。该器件使用极高性能,高可靠性的CMOS技术。其待机电流稳定范围内的工作温度范围。
    精心设计的LY62L256是针对低功耗应用,特别适合用于电池以及备份非易失性存储器中的应用。
    该LY62L256从2.7-3.6V的单电源和所有输入和输出操作完全兼容TTL
型号/规格

LY62L256

品牌/商标

SRAM