供应 SRAM超高速 存储器 LY6164

    该LY6164是65536位高速CMOS静态随机存取记忆体为8,192字组成的8位。该器件使用极高性能，高可靠性的CMOS技术。其待机电流稳定范围内的工作温度范围。
    LY6164是精心设计的高速系统应用，特别适合用于电池以及备份非易失性存储器中的应用。
    该LY6164从5V单电源和所有输入和输出操作完全兼容TTL。

 产品特征：

• 快速存取时间：8/10/12/15ns
• 低功耗：
    工作电流：110/100/90/80mA(TYP.)
    待机电流：1mA(TYP.)
• 5V的单电源
• 所有输入和输出TTL兼容
• 全静态操作和三态输出
• 数据保存电压：2.0V（最小值）
• 绿色封装