场效应管测试仪

        一、概述 　　

       MOS-1型功率场效应管测试仪，是一种新颖的全数字显示式功率场效应管参数测试装置，可用于标称 电流约在2-85A，功率在300W以内的N沟导和P沟导功率场效应管主要参数的测试。它可以准确测量击穿电压 VDSS、栅*开启电压VGS（th）和放大特性参数跨导Gfs，尤其是跨导Gfs的测试电流可以*50A，由于采 用脉冲电流测试法，即使在大电流测试时也不会对被测器件造成任何损坏，更可以在大电流状态下对场效 应管进行参数一致性的测试（配对）；仪器*可用于同等电流等级的IGBT参数的测量；仪器还是一台性 能十分*的电子元器件耐压测试装置，其测试耐压时的漏电流有1mA、250uA、25uA 三挡可以选择。仪器 主要用于功率场效应管和IGBT的质量检验、参数的配对及其它电子元器件的耐压测试之用。仪器分N沟导型 测试仪和P沟导型测试仪两种。仪器外型美观、性能稳定、测量准确、操作简单、使用*方便。

          二、主要技术性能 　　　　

        1、击穿电压VDSS测量范围： 0—1999V， 精度：≤2.5% 。 　　　　

        2、IDSS可分三挡选择： 1mA、250uA、25uA 。 　　　　

        3、栅*开启电压VGS（th） 测量范围： 0—10V。 精度：≤5% 。 　　　　

        4、Gfs跨导测试电流Idm：不小于1—50 A连续可调， 精度：≤10 % 。 　　　

    　5、Gfs跨导测试范围：1—100 。

        三、主要测试功能 　　　　

        1、功率场效应管的击穿电压VDSS、栅*开启电压VGS(th)、跨导Gfs的测试。 　　　　

        2、IGBT的击穿电压V(BR)ces、栅*开启电压VGE(th)、跨导Gfs的测试。 　　　　

        3、功率场效应管和IGBT在50A以下的任意电流状态下一致性的测试，可用于配对。 　　　　

        4、对其它更大电流和功率的场效应管及IGBT的测试：（见下面介绍）。 　　　

    　5、各类晶体三*管、二*管、稳压管击穿电压的测试。 　　　　

        6、压敏电阻电压的测试等。

       四、测试盒与测试线 　　　　

        1、利用测试盒可以方便的测试TO-126、TO-220、TOP-3等类似封装的功率场效应管和IGBT。 　　　

    　2、利用测试线可以测量其它金属类、模块类等封装形式的功率场效应管和IGBT。

        更详细的介绍请点击网址：https://www.sst2008.com/       https://www.sst2011.com/

        联系电话（传真）： 　　手机：

沈松涛