| 概述 |
| 完整的数据资料 | | 英文 |  下载 | Rev. 3 | (PDF, 172kB) |
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DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM为16,384位、全静态NV SRAM，按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续*VCC是否*出容差范围，一旦*出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、*数据被破坏。 NV SRAM可以用来直接替代现有的2k x 8 SRAM，*合通用的单字节宽、24引脚DIP标准。器件还与2716 EPROM及2816 EEPROM的引脚排列匹配，可直接替换并增强其性能。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。 |
本产品包含金属锂电池。 参见含电池设备的运输要求使用标准。
| 关键特性 |
- 在没有外部电源的情况下*少可以保存数据10年
- 掉电期间数据被自动保护
- 直接替代2k x 8易失静态RAM或EEPROM
- 没有写次数限制
- 低功耗CMOS操作
- JEDEC标准的24引脚DIP封装
- 100ns的读写存取时间
- *次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
- &plu*n;10% VCC工作范围(DS1220AD)
- 可选择&plu*n;5% VCC工作范围(DS1220AB)
- 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
- 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证
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