150 mm 硅 抛 光 片
地区:北京 北京市
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无
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产品属性
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本公司主要生产半导体硅材料,如150mm 硅 抛 光 片,200150mm 硅 抛 光 片,5英寸区熔硅单晶等.
生长方法 |
直拉CZ |
直径与公差 (mm) |
150.0 ± 0.2 |
型号/掺杂剂 |
P型/硼 N型/磷、砷、锑 |
晶向 |
<100> / <111> |
电阻率 (Ω·cm) |
0.003-50 |
径向电阻率变化 (%) |
P型 < 6 N型 < 25 |
氧含量与公差 (at ![]() |
5.0-7.8× ![]() |
径向氧含量变化 (%) |
< 5 |
碳含量 (at ![]() |
≤ 2.0× ![]() |
金属铁含量 (at ![]() |
≤ 1.0× ![]() |
表面金属 (at ![]() |
铜 / 铬 / 铁 / 镍 ≤ 5.0× ![]() 铝 / 锌 / 钾 / 钠 / 钙≤ 2.0× ![]() |
厚度 (微米) |
按SEMI标准或用户要求SEM |
厚度公差 (微米) |
±15或用户要求±15 |
总厚度变化 TTV (微米) |
< 2.5 |
平整度 TIR (微米) |
< 1.2 |
局部平整度 STIRmax (微米) |
< 0.3 |
翘曲度 (微米) |
< 30 |
颗粒(# per wafer) |
< 30 (for size > 0.2 微米) |