可控硅移相触发器IC集成电路芯片 KC系列 DIP陶瓷封装 KC04 KC05 KC06 KC08 KC09 KC01 KC42

KC05、KC06：应用于双向或二只反向并联可控硅线路的交流相位控制；半控或全控桥式线路的相位控制。KC06具有自生直流电源。
KC05
KC05：适用于双向可控硅或二只反向并联可控硅线路的交流相位控制；移相范围宽，控制方式简单，易于集中控制，有失交保护，输出电流大等优点。是交流调光、调压的理想电路。

KC05 电子电路应用实例
KC05 主要技术参数：
电源电压：直流+15V 波动±5%（±10%时有功能）
电源电流：≤12mA
同步电压：≥10V（有效值）
移相范围：≥170°
移相输入端偏置电流：≤10μA
输出脉冲宽度：100μS——2mS（改变脉宽电容）
输出脉冲幅度:≥13V(1KΩ负载)
最大输出能力:200mA(吸入脉冲电流)
输出管反压：BVceo ≥18V
正负半周脉冲相位不均衡度：≤±3°
使用环境温度:-10℃——+70℃

可控硅移相触发器IC集成电路芯片塑封KC04
关于产品说明：
1.包装形式：如图片所示，塑料托盒，一托盒数量为：20个。
2.封装形式：塑封
3.功能介绍如下所示：
KC KJ0 04、09、可控硅移相触发器
KC KJ0 04、09：输出两路相位差180度的移相脉冲，可以方便地构成全控桥式触发线路；输出负载能力大，移相性能好，正负半周脉冲相位值均衡性好，移相范围宽，对同步电压要求小，有脉冲列调制输入端等功能。
适用于单相、三相全控桥式供电装置中。
KC KJ 09的触发可靠性更好一些。

KC KJ0 04、09（管脚排列相同）应用实例
主要技术数据：
1、电源电压：±15V；允许波动±5%（±10%时有功能）
2、电源电流：正电流≤15mA，负电流≤8mA
3、同步电压：一般交流30V
4、同步输入端允许最大同步电流：5mA
5、移相范围：≥170°（同步电压30V，同步输入电阻15KΩ）
6、锯齿波幅度：≥10V（以锯齿波平顶为准）
7、移相输入端偏置电流：≤10μA
8、输出脉冲宽度：400μS——2mS（改变脉宽电容）
9、输出脉冲幅度:≥13V
10、最大输出能力:100mA(流出脉冲电流)
11、输出管反压：BVceo≥18V
12、正负半周脉冲相位不均衡度：≤±3°
13、使用环境温度:-10℃——+70℃

供应可控硅移相触发器IC集成电路芯片 KC系列 DIP陶瓷封装 KC04 KC05 KC06 KC08 KC09 KC01 KC42