供应 场效应管 SUD50N025-09BP-4E3 SUD50N025-09BP

产品型号:SUD50N025-09BP-4E3,SOT-252,SMD/MOS,N场,25V,62A,0.0086Ω
N-Channel 25-V (D-S) MOSFET

特点:

TrenchFET Power MOSFET

100% Rg Tested

RoHS Compliant
应用：

DC/DC Conversion, High-Side
– Desktop PC

封装:SOT-252

品牌：VISHAY/威士

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):62

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0086 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.4

功率PD(W):55

输入电容Ciss(PF):1020 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：46

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):39.2

导通延迟时间Td(on)(ns):17 typ.

上升时间Tr(ns):15 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):17 typ.

下降时间Tf(ns):8 typ.

温度(℃): -55 ~175

描述:SUD50N025-09BP-4E3,N场,25V,62A,0.0086Ω N-沟道增强型场效应晶体管

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