供应 场效应管 TK10A60D,TK10A60DR,K10A60D

产品型号:TK10A60D

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):10

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.75

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):45

输入电容Ciss(PF):1350 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：6

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):363

导通延迟时间Td(on)(ns):55 typ.

上升时间Tr(ns):22 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):100 typ.

下降时间Tf(ns):15 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:600V,10A N-沟道增强型场效应晶体管