供应英飞凌IGBT模块(FF450R17ME3 、FF450R17ME4)

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英飞凌IGBT模块(FF450R17ME3 、FF450R17ME4),德国进口全新原装,都有现货

厂家:英飞凌

型号:FF450R17ME3 、FF450R17ME4

 加犬S极电阻R4阻值可以加大直流负反馈量,更好地稳定VT1管工作。但是,由于R4阻值大,VT1管S极直流电压升高,如果不增大直流工作电压+V,使VT1管D极与S极之间有效直流工作电压下降,所以这种偏压电路一般不用于直流工作电压+V较低的场合。图7-12 N沟道结型场效应管混合偏置电路
    这种偏压电路还有一个缺点,即降低了放大器的输入电阻。图7-13所示是这种偏置电路的等效电路。
    图7-12所示是N沟道结型场效应管混合偏   

 

 为求得r,我们要返回至电子管的阳极特性曲线图,找到工作点所在的阳极特性曲线,在工作点处画出这条阳极特性曲线的切线。我们主要是想知道这条阳极特性曲线在工作点处的斜率。这听起来较难,但做起来并不难。切线应当与阳极特性曲线只接触(相交)于一个点,并且要求接触点须准确。如果使用透明的优质直尺,效果就比较理想。将尺子准确定位后划线,这条切线两端应到达曲线图刻度的尽头,记下切线末端两点的数值。这样做的目的,是构造出一个大三角形,以便用于计算,并尽可能地减小误差。

 

型号/规格

FF450R17ME3 、FF450R17ME4

品牌/商标

英飞凌