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全新ST场效应：STB3N62K3,MOS管N通道,标准，现货特价！

地区：广东 深圳
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数据列表 STx3N62K3
产品相片 TO-263
其它有关文件 STB3N62K3 View All Specifications
PCN 过时产品 Power MOSFET Transistors 29/Jul/2013
标准包装 ?  1,000
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 SuperMESH™
包装 ?  带卷 (TR) ? 
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 620V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时） 2.7A （Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 2.5 欧姆 @ 1.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 13nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 385pF @ 25V
功率 - 最大值 45W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
产品目录页面 1542 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 497-8476-2


型号/规格

STB3N62K3

品牌/商标

ST（意法半导体）

封装形式

sot-263

环保类别

普通型

安装方式

贴片式

包装方式

盒带编带包装

功率特征

大功率