全新ST场效应：STB40N20,MOS管N通道,标准，现货特价！
地区：广东 深圳
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无
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STx40NF20
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TO-263
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PCN 设计/规格
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013
标准包装
1,000
类别
分立半导体产品
家庭
FET - 单
系列
STripFET™
包装
带卷 (TR)
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压 (Vdss)
200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）
40A （Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）
45 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
75nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
2500pF @ 25V
功率 - 最大值
160W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
产品目录页面
1542 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
497-5804-2
主营：
STB40N20
ST（意法半导体）
to-263
普通型
贴片式
盒带编带包装
大功率
高频
NPN型
