STB36NM60N,N通道600V 29A MOSFET,ST原装
地区:广东 深圳
认证:
无
图文详情
产品属性
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制造商零件编号: STB36NM60N
种类: MOSFET
沟道类型: N
最大耗散功率 (Pd): 210
漏源电压 (Uds): 600
栅源电压 (Ugs):
最大漏极电流 (Id): 29
最大工作温度 (Tj), °C:
导通上升时间 (tr):
输出电容 (Cd), pF:
静态的漏源极导通电阻 (Rds), Ohm: 0.105
封装形式: D2PAK
主营:
STB36NM60N
ST(意法半导体)
to-263
普通型
贴片式
盒带编带包装