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地区:上海 上海市
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产品属性
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数据列表 | FQP5N60C, FQPF5N60C |
产品相片 | TO-220AB |
产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
产品变化通告 | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | QFET™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源*电压 (Vdss) | 600V |
电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时) | 4.5A |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值) | 2.5 欧姆 @ 2.25A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) | 19nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 670pF @ 25V |
功率 - *大值 | 33W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
供应商器件封装 | TO-220F |
其它名称 | FQPF5N60C-NDFQPF5N60CFS |
FQPF5N60CFS-ND
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