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产品属性
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| 数据列表 | FQP5N60C, FQPF5N60C |
| 产品相片 | TO-220AB |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告 | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | QFET™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源*电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） | 4.5A |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） | 2.5 欧姆 @ 2.25A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 670pF @ 25V |
| 功率 - *大值 | 33W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 其它名称 | FQPF5N60C-NDFQPF5N60CFS |
FQPF5N60CFS-ND
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