VISHAY SILICONIX SI2305DS-T1-E3 场效应管 MOSFET P

晶体管极性:P通道

• 电流, Id 连续:-3.5A
• 电压, Vds 最大:-8V
• 在电阻RDS（上）:52mohm
• 电压 @ Rds测量:-4.5V
• 阈值电压, Vgs th 典型值:-800mV
• 功耗, Pd:1.25W
• 封装类型:TO-236
• 针脚数:3
• 功耗:1.25W
• 封装类型:TO-236
• 漏极电流, Id 最大值:3.5A
• 电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
• 电压, Vds 典型值:-8V
• 电压, Vgs 最高:-800mV
• 表面安装器件:表面安装