8 位 *R 微控制器 ATtiny2313

8 位 *R 微控制器 ATtiny2313

ATtiny2313 概述

2K Bytes of In-System Self-Programmable Flash, 128 Bytes In-System Programmable EEPROM, 128 Bytes Internal SRAM. USI--Universal Serial Interface, Full Duplex UART. debugWIRE for on-chip-debug. Up to 20 MIPS throughput at 20 MHz.

ATtiny2313是基于增强的*R RISC结构的低功耗8位CMOS微控制器。由于其*的指
令集以及单时钟周期指令执行时间， ATtiny2313 的数据吞吐率*1 MIPS/MHz，从而
可以缓减系统在功耗和处理速度之间的矛盾。

ATtiny2313 特性

使用 *R® RISC 结构

*R – *、低功耗的RISC 结构
– 120 条指令 – 大多数指令执行时间为单个时钟周期
– 32 个8 位通用工作寄存器
– 全静态工作
– 工作于20 MHz 时性能*20 MIPS

数据与非易失性程序和数据存储器
– 2K字节的系统内可编程Flash
擦写寿命: 10,000 次
– 128 字节的系统内可编程EEPROM
擦写寿命: 100,000 次
– 128 字节的片内SRAM
– 可以对锁定位进行编程以及实现EEPROM 数据的加密

外设特点
– 具有*预分频器及比较模式的8 位定时器/ 计数器
– 具有*预分频器及比较、捕获模式的16 位定时器/ 计数器
– 四路 PWM 通道
– 片内模拟比较器
– 具有片内振荡器的可编程看门狗定时器
– USI – *串行接口
– 全双工 USART

*的处理器特点
– debugWIRE 片上调试
– 通过SPI 端口在系统内可编程
– 片内/ 片外中断源
– 低功耗空闲模式、掉电模式、Standby 模式
– 增强型上电复位
– 可编程的掉电检测
– 片内标定振荡器

I/O 和封装
– 18可编程I/O 线
– 20引脚PDIP, 20 引脚 SOIC 与32 引脚MLF

工作电压
– 1.8 - 5.5V (ATtiny2313V)
– 2.7 - 5.5V (ATtiny2313)

速度等级
– ATtiny2313V: 0 - 4 MHz @ 1.8 - 5.5V, 0 - 10 MHz @ 2.7 - 5.5V
– ATtiny2313: 0 - 10 MHz @ 2.7 - 5.5V, 0 - 20 MHz @ 4.5 - 5.5V

功耗估计
– 正常模式:
1 MHz, 1.8V: 300 μA
32 kHz, 1.8V: 20 μA ( 包括振荡器)
– 掉电模式:
< 0.2 μA at 1.8V