场效应管 FQNL2N50B/FQNL2N50/2N50

地区:广东 深圳
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品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FQNL2N50B
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源
材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4(V)
夹断电压 0(V) *大漏*电流 0.35A(mA)
*大耗散功率 1.5W(mW)

標準包裝 6,000

類別 離散半導體產品

家庭 MOSFET - 單

Series QFET

安裝類型 通孔

FET型 N通道

漏極至源極的電壓(Vdss) 500V

電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 350mA

開態Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 9 歐姆 @ 135mA, 10V

Vds時的輸入電容(Ciss) 230pF @ 25V

功率 - *大 1.5W

封裝 散裝

閘電流(Qg) @ Vgs 8nC @ 10V

封裝/外殼 TO-92L

FET特點 標準