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场效应管 FQU2N60C/FQU2N60/2N60

地区：广东 深圳
认证： 无

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品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FQU2N60C
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源
材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4（V）
夹断电压 0（V） *大漏*电流 1.9A（mA）
*大耗散功率 44W（mW）

標準包裝 1,500

類別 離散半導體產品

家庭 MOSFET - 單

Series OptiMOS

安裝類型 通孔

FET型 N通道

漏極至源極的電壓(Vdss) 25V

電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 1.9A

開態Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C 8.8 毫歐姆 @ 30A, 10V

Vds時的輸入電容(Ciss) 1642pF @ 15V

功率 - *大 63W

封裝 管裝

閘電流(Qg) @ Vgs 13nC @ 5V

封裝/外殼 IPak, TO-251, DPak, VPak (3直引線 + 接頭）

FET特點 標準