三*管,场效应,IGBT

品牌:IR美国国际整流器公司 型号:IRG4IBC30KD 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:HI-REL/高*性 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600（V） 夹断电压:600（V） 低频跨导:12（μS） *间电容:12（pF） 低频噪声系数:12（dB） *大漏*电流:12（mA） *大耗散功率:333（mW）

公司专营美国、日本、韩国、台湾等世界各名厂家常形； 场效应，肖特基，快恢复，三端稳压，功率管，可控硅，等系列晶体管，货源充足，现货供应。本公司以“品质*、诚信为本”的经营理念，十多年来深受国内外厂家、经销商的信赖和支持。真诚欢迎海内外客户洽谈合作，共谋发展!!
主营厂家::
IR.*童.ST.东芝.NEC.富士通.日立.ON.POWER.英飞凌.APT.飞利浦.IXYS.三肯.三洋.三凌等..

本公司也有收购；三*管.二*管.I C 等..
原装的..散新的,剪脚的,上机的.拆机的.等都可以..
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